FDS4080N7
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onsemi FDS4080N7
| Artikelnummer: | FDS4080N7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 13A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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onsemi FDS4080N7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS4080N7.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V Verlustleistung (max) 3.9W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) Grundproduktnummer FDS40 FDS4080N7 Einzelheiten PDF [English] FDS4080N7 PDF - EN.pdf -
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